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贴片高频电容一级供应商CCT
高频电容精度为5% NPO 材质
孙先生 １３６８９５６９３６３ ＱＱ ２８７７７３５０３２
供应台湾高频贴片电容1812-2220大封装高压贴片电容开关电源,适配器专用高压贴片电容，ADSL,通讯电源专用贴片高压电容，照明电源.通讯电源.开关电源,汽车电子专用高压贴片电容产品规格有：0805X7R100V、250V、500V系列0805NPO100V、250V、500V系列1206X7R100V、250V、500V、1KV、2KV系列1206NPO250V、500V、1KV、2KV系列1210x7R100V、250V、500V、1KV、2KV系列1210NPO250V、500V、1KV、2KV系列1808X7R1KV、2KV、3KV5KV系列1808NPO2KV、3KV5KV系列1812X7R100V、250V、500V、1KV、2KV3KV5KV系列1812NPO1KV2KV3KV5KV系列2220x7R50V100V500V1KV5KV2220NPO50V200V1KV2225系列有大量现货联系电话
原装新货1812-2220大封装高压贴片电容
质量和单价都有很大优势!
CCT专业供应高压高频电容104J应用于负离子发生器
工作温度范围:-55～125℃
额定电压:100VDC～3000VDC
温度特性:NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃(EIA:ClassI)
X7R:≤±15%,-55～125℃(EIA:ClassII)
容量范围:NPO:2pFto100nF;X7R:150pFto2.2uF
损失角正切(tan):NPO:Q≥1000;X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻:10GΩ或500/CΩ取两者最小值
老化速率:NPO:1%;X7R:2.5%一个decade时间
介质电耐电压:100V≤V<500V:200%
额定电压:500V≤V<1000V:150%
额定电压:1000v≤
规格主要有:
CCT专业供应高压高频电容104J应用于负离子发生器
100V 105/155/225...1812封装
250V 224 334 474 684 105...1812封装
100V 225 475...2220封装
250V 105 225...2220封装
500V/630V 224 334 474...2220封装
欢迎查询和索样!
详情请垂询13689569363孙先生 企业QQ:2877735032 旺旺：chenyuankeji88
高频贴片电容1812 100V 2.2uF电源LED模块专用
100V/225K 1812封装.(可代替插件铝电解和CBB电容)
封装尺寸:1812(4.6mm*3.2mm)
标称电压:100VDC
容值:2.2UF
DF<2.5%
工作温度:-55~+125度
材质:X7R
主要用于: LED模块,模块电源,各种开关电源…
欢迎查询和索样!
CCT专业供应高压高频电容104J应用于负离子发生器
详情请垂询13689569363孙先生 企业QQ:2877735032 旺旺：chenyuankeji88
高频贴片电容1812/NP0/102J(无极灯用)
高频无极灯电源专用
材质：NP0（COG）
工作温度：-55~+125度
容量：1000PF
损耗角：<0.1%
电压:2KV~3KV
欢迎查询和索样!
CCT专业供应高压高频电容104J应用于负离子发生器
高频贴片电容1812/NP0/471J(无极灯用)
高频无极灯电源专用
材质：NP0（COG）
工作温度：-55~+125度
容量：470PF
损耗角：<0.1%
电压:2KV~3KV
欢迎查询和索样!
详情请垂询13689569363孙先生 企业QQ:2877735032 旺旺：chenyuankeji88
配置电容的经验值 好的高频去耦电容可以去除高到1GHZ的高频成份。陶瓷片电容或多层陶瓷电容的高频特性较好。设计印刷线路板时，每个集成电路的电源，地之间都要加一个去耦电容。去耦电容有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，提供和吸收该集成电路开门关门瞬间的充放电能；另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容为0.1uf的去耦电容有5nH分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说对于10MHz以下的噪声有较好的去耦作用，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。 1uf，10uf电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频率噪声的效果要好一些。在电源进入印刷板的地方和一个1uf或10uf的去高频电容往往是有利的，即使是用电池供电的系统也需要这种电容。 每10片左右的集成电路要加一片充放电电容，或称为蓄放电容，电容大小可选10uf。最好不用电解电容，电解电容是两层溥膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感，最好使用胆电容或聚碳酸酝电容。 去耦电容值的选取并不严格，可按C=1/f计算；即10MHz取0.1uf。 由于不论使用怎样的电源分配方案，整个系统会产生足够导致问题发生的噪声，额外的过滤措施是必需的。这一任务由旁路电容完成。一般来说，一个1uf-10uf 的电容将被放在系统的电源接入端，板上每个设备的电源脚与地线脚之间应放置一个0.01uf-0.1uf 的电容。旁路电容就是过滤器。放在电源接入端的大电容（约10uf）用来过滤板子产生的低频（比如60hz 线路频率）。板上工作中的设备产生的噪声会产生从100mhz 到更高频率间的合共振（harmonics）。每个芯片间都要放置旁路电容，这些电容比较小，大约0.1u 左右。CCT专业供应高压高频电容104J应用于负离子发生器
退藕电容的一般配置原则 1. 电源输入端跨接10 ~100uf的电解电容器。如有可能，接100uf以上的更好。 2. 原则上每个集成电路芯片都应布置一个0.01pf的瓷片电容，如遇印制板空隙不够，可每4~8个芯片布置一个1 ~ 10pf的但电容。 3. 对于抗噪能力弱、关断时电源变化大的器件，如 ram、rom存储器件，应在芯片的 电源线和地线之间直接入退藕电容。 4、电容引线不能太长，尤其是高频旁路电容不能有引线。此外，还应注意以下两点： a、 在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时．操作它们时均会产生较大火花放电 ，必须采用附图所示的 rc 电路来吸收放电电流。一般 r 取 1 ~ 2k，c取2.2 ~ 47uf。 cmos的输入阻抗很高，且易受感应，因此在使用时对不用端要接地或接正电源。 由于大部分能量的交换也是主要集中于器件的电源和地引脚，而这些引脚又是独立的直接和地电平面相连接的。这样，电压的波动实际上主要是由于电流的不合理分布引起。但电流的分布不合理主要是由于大量的过孔和隔离带造成的。这种情况下的电压波动将主要传输和影响到器件的电源和地线引脚上。为减小集成电路芯片电源上的电压瞬时过冲，应该为集成电路芯片添加去耦电容。这可以有效去除电源上的毛刺的影响并减少在印制板上的电源环路的辐射。当去耦电容直接连接在集成电路的电源管腿上而不是连接在电源层上时，其平滑毛刺的效果最好。这就是为什么有一些器件插座上带有去耦电容，而有的器件要求去耦电容距器件的距离要足够的小。 去耦电容配置的一般原则如下： ● 电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好
